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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Standard RF Band (see Table 1) . V CC = 3.3V, f RF = 1200MHz to 1700MHz, LO is
high-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
10
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
10
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
10
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
T C = -40°C
V CC = 3.3V
V CC = 3.3V
9
8
9
8
P LO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
9
8
V CC = 3.6V
V CC = 3.3V
7
T C = +85°C
T C = +25°C
7
7
V CC = 3.0V
6
6
6
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
26
25
T C = +85°C
V CC = 3.3V
P RF = -5dBm/TONE
26
25
P LO = +3dBm
V CC = 3.3V
P RF = -5dBm/TONE
P LO = 0dBm
26
25
V CC = 3.6V
P RF = -5dBm/TONE
24
23
24
23
24
23
22
21
T C = +25°C
T C = -40°C
22
21
P LO = -3dBm
P LO = -6dBm
22
21
V CC = 3.0V   V
CC = 3.3V
20
20
20
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
13
12
11
10
T C = +85°C
V CC = 3.3V
13
12
11
10
V CC = 3.3V
13
12
11
10
9
T C = +25°C
9
P LO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
9
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
8
7
T C = -40°C
8
7
8
7
1200
1300
1400
1500
1600
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1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
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1500
1600
1700
12
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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